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J-GLOBAL ID：201202224285086712   整理番号：12A0960587

熱ナノインプリントリソグラフィーとCl₂/Xe誘導結合プラズマ(ICP)エッチングによるSiベースの高屈折率差回折格子の微細加工

Microfabrication of Si-Based High-Index-Contrast-Grating Structure by Thermal Nanoimprint Lithography and Cl₂/Xe-Inductively Coupled Plasma Etching

著者 (4件)： MATSUTANI Akihiro (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HASHIDUME Yuuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTSUKI Hideo (Samco Inc., Kyoto, JPN) ,  KOYAMA Fumio (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 2  ページ： 06FF05.1-06FF05.4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者は,熱ナノインプリントリソグラフィーとCl₂/Xe誘導結合プラズマ(ICP)エッチングを用いたSiベースの高屈折率差格子(HCG)構造の製作を実証した。光のデバイス応用のための要件を満たす,垂直エッチングプロフィールと平滑なエッチング表面を得た。著者は,この提案された過程が,HCG構造,フォトニック結晶,狭光導波路およびマイクロ電気機械系(MEMS)などのような,Siベースの光学デバイスの微細加工に有効であると確信する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *回折格子 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *リソグラフィー ,  誘導結合プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  塩素 ,  キセノン ,  屈折率 ,  光導波路 ,  *MEMS ,  フォトニック結晶
準シソーラス用語： 熱ナノインプリントリソグラフィー ,  インプリントリソグラフィー

分類 (1件)： 光デバイス一般  (BD06010L)

引用文献 (31件)：

• 1) C. F. R. Mateus, M. C. Y. Huang, Y. Deng, A. R. Neureuther, and C. J. Chang-Hasnain: IEEE Photonics Technol. Lett. 16 (2004) 518.
• 2) M. Shokooh-Saremi and R. Magnusson: Opt. Express 16 (2008) 18249.
• 3) Y. Zhou, M. C. Y. Huang, C. Chase, V. Karagodsky, M. Moewe, B. Pesala, F. G. Sedgwick, and C. J. Chang-Hasnain: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15 (2009) 1485.
• 4) S. M. Norton, T. Erdogan, and G. M. Morris: J. Opt. Soc. Am. A 14 (1997) 629.
• 5) Z. Wang, T. Sang, L. Wang, J. Zhu, Y. Wu, and L. Chen: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 251115.

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノインプリントリソグラフィー ,  Xe ,  誘導結合プラズマ ,  ICP ,  エッチング ,  Si ,  高屈折率 ,  回折格子 ,  微細加工