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J-GLOBAL ID：201202227614192382   整理番号：12A1173159

ゲートとチャネル間の電気機械的相互作用に基づく振動-ボディ電界効果トランジスタのモデリング

Modeling of Vibrating-Body Field-Effect Transistors Based on the Electromechanical Interactions Between the Gate and the Channel

著者 (9件)： UEKI Shinji (OMRON Corp., Yasu, JPN) ,  NISHIMORI Yuki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  IMAMOTO Hiroshi (OMRON Corp., Yasu, JPN) ,  KUBOTA Tomohiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAKUSHIMA Kuniyuki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IKEHARA Tsuyoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HASHIGUCHI Gen (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 8  ページ： 2235-2242  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 振動ボディ電界効果トランジスタ(VB-FET)の特徴は,その電流チャネルが,振動する機械的構造の垂直にエッチされた表面上に形成されることである。本論文では,VB-FETの機械的および電気的システムに対する組み合わせ解析方法について述べた。ゲートとFETチャネル間のエネルギー移動を配慮するために,抵抗-容量はしご回路でFETを表し,運動方程式を導くためにラグランジュ関数を用いた。方程式を解くことにより,VB-FETの代表的な電気的特性,すなわち相互コンダクタンスと電流利得を導いた。その結果は,電流利得は,機械的バイブレータ反共振周波数でのFETの遮断周波数以上でも得られることを示した。これらの特性はデバイスの寸法と動作条件に強く依存する。このことは,組み合わせた解析がVB-FETの適当な設計を決定する助けになることを意味する。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  モデリング ,  *固体素子モデル ,  ゲート【半導体】 ,  ラグランジアン ,  相互コンダクタンス ,  利得
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  ラグランジュ関数 ,  電流利得

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  チャネル ,  電気機械 ,  相互作用 ,  ボディ ,  電界効果トランジスタ ,  モデリング