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J-GLOBAL ID：201202229947697514   整理番号：12A0715318

デュアルゲートIGZO TFTにより作成した時定数変化検出用アクティブマトリクスタッチセンサ

Active matrix touch sensor detecting time-constant change implemented by dual-gate IGZO TFTs

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著者 (3件)： TAI Ya-hsiang (Dep. of Photonics & Display Inst., National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan, TWN) ,  CHIU Hao-lin (Dep. of Photonics & Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan, TWN) ,  CHOU Lu-sheng (Dep. of Photonics & Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 30010, Taiwan, TWN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 72  ページ： 67-72  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アクティブマトリクスタッチセンサ回路で使われるデュアルゲートIGZO TFTを提案した。回路には,RC低域フィルタをもつ一つのTFTのみを含んでいる。それで,デュアルゲートIGZO TFTは,そのトップとボトムゲート両者により制御される。最も簡単な構造は,ピクセル中のセンサパッド領域を最大にする。センサパッドへのタッチ動作は,キャパシタンスを形成し,TFTのゲートへ給電する走査パルスのRC時定数を増加する。このようにして,センサ信号となる大きな過渡オン電流が生成される。その電流は,大きいので容易に読出し可能であり,周辺ICの電力とコスト低減を可能にした。本稿では,動作中の環境に対する回路のロバスト性を検討した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  時定数 ,  *アクティブマトリックス ,  低域フィルタ ,  画素 ,  *センサ ,  静電容量 ,  ゲート【半導体】 ,  ロバスト性 ,  タッチセンサ
準シソーラス用語： TFT【トランジスタ】 ,  キャパシタンス ,  デュアルゲート ,  ピクセル

分類 (2件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： デュアルゲート ,  IGZO ,  TFT ,  時定数 ,  変化検出