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J-GLOBAL ID：201202230986183364   整理番号：12A0591382

パルスレーザーメルティング法によって深い準位をとる不純物を過飽和ドープしたシリコンの赤外光吸収

Strong mid infrared absorption in silicon supersaturated with deep-level impurity by pulsed laser melting

著者 (6件)： 梅津郁朗 (甲南大) ,  香野淳 (福岡大) ,  川邊大介 (甲南大) ,  松田祐樹 (甲南大) ,  中川将 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大)
資料名： 電気学会光・量子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： OQD-12  号： 1-11  ページ： 47-50  発行年： 2012年03月09日 
JST資料番号： Z0922A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： エキシマレーザよりパルス幅の短いYAGレーザの3倍高調波を用いて深い準位をとる不純物のSiへの過飽和ドーピングを行った。その結果,YAGレーザによるPLMでも過飽和ドープが可能で,Sに対してはエキシマレーザ利用よりも過飽和度の高い試料を得た。TiはSに比べPLMによって濃度分布が表面域に偏るが同様にSi内に高濃度に残留した。Sの中赤外域に発現する光吸収はエキシマレーザ作製物と類似するが吸収強度が高くエキシマレーザに見られない微弱ぴーくが存在した。冷却過程の相違によって異なる準安定状態形成によるためである。Ti過飽和ドープ試料に関しての光吸収は更に特徴のないブロードなものであった。

シソーラス用語： レーザ加工 ,  *レーザ融解 ,  ドーピング ,  バンドギャップ ,  *光吸収 ,  YAGレーザ ,  再結晶 ,  *深い準位 ,  表面温度 ,  ケイ素 ,  不純物濃度 ,  不純物準位 ,  赤外線 ,  準安定状態 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 過飽和ドーッピング ,  中間バンド ,  赤外吸収

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (12件)：

• (1) B. P. Bob, A. Kohno, S. Charnvanichborikarn, J. M. Warrender, I. Umezu, M. Tabbal, J. S. Williams, and M. J. Aziz," Fabrication and Sub-Bandgap Optical Properties of Silicon Supersaturated with Chalcogens by Ion Implantation and Pulsed Laser Melting" J.Appl. Phys. Vol.107, p.123506 (2010).
• (2) T. G. Kim, J. M. Warrender, and M. J. Aziz, " Strong sub-band-gap infrared absorption in silicon supersaturated with sulfur ", Appl. Phys. Lett. Vol.88, p.241902 (2006).
• (3) S. H. Pan, D. Recht, S. Charnvanichborikarn, J. S. Williams, and M. J. Aziz, " Enhanced visible and near-infrared optical absorption in silicon supersaturated with chalcogens", Appl. Phys. Lett. 9 Vol.8, p.121913 (2011).
• (4) A. J. Said, D. Recht, J. T. Sullivan, J. M. Warrender, T. Buonassisi, P. D. Persans, and M. J. Aziz, " Extended infrared photoresponse and gain in chalcogen-supersaturated silicon photodiodes" Appl. Phys. Lett. Vol.99, p.073503 (2011).
• (5) M. Tabbal, T. G. Kim, J. M. Warrender, M. J. Aziz, B. L. Cardozo, and R. S. Goldman, "Formation of single crystal sulfur supersaturated silicon based junctions by pulsed laser melting, " J. Vac. Sci. Technol. B Vol.25, p.1747 (2007).

タイトルに関連する用語 (6件)： 深い準位 ,  不純物 ,  過飽和 ,  ドープ ,  シリコン ,  赤外光吸収