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J-GLOBAL ID：201202231593858455   整理番号：12A0714952

La₂O₃ゲートスタックMOSFETの電子移動度に対する遠隔Coulomb散乱の影響

The effect of remote Coulomb scattering on electron mobility in La₂O₃ gate stacked MOSFETs

著者 (12件)： MAMATRISHAT M (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KOUDA M (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAWANAGO T (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KAKUSHIMA K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  AHMET P (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TSUTSUI K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KATAOKA Y (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  NISHIYAMA A (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SUGII N (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  NATORI K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  HATTORI T (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  IWAI H (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 4  ページ： 45014,1-5  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 等価酸化膜厚(EOT)が1.2から0.8nmのW/La₂O₃/Si MOSFETにおける移動度劣化について実験的に調べた。容量電圧特性や電流電圧特性の測定結果の解析により,EOTを1nm以下にスケーリングして行くと,W/La₂O₃界面近傍に存在する遠隔Coulomb電荷(RCC)が移動度の劣化に支配的な役割を演ずることを示した。その結果,薄いLa₂O₃ゲート誘電体を用いたMOSFETでより高い移動度を実現するためには,W/La₂O₃近傍に存在するRCCを低減することが必要であることが示唆された。

シソーラス用語： *Coulomb散乱 ,  酸化ランタン ,  *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  機構 ,  界面 ,  スケーリング【計数】 ,  ナノメータ加工
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  *電子移動度 ,  劣化機構

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： La2O3 ,  ゲートスタック ,  MOSFET ,  電子移動度 ,  Coulomb散乱