非対称pin<sup>+</sup>ダイオードの意義-シリコンIGBT限界に関する考察-

高田育紀

文献

J-GLOBAL ID：201202231748679099 整理番号：12A1600926

非対称pin⁺ダイオードの意義-シリコンIGBT限界に関する考察-

The Significance of Asymmetrical pin⁺ Diodes-A Consideration on the Silicon IGBT Limit-

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著者 (1件)：
資料名：
巻： EDD-12 号： 59-61.63-77 ページ： 65-70 発行年： 2012年10月25日
JST資料番号： Z0910A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

IGBT限界モデルが「サブミクロン以下のごく狭いメサ領域を稠密に形成するエミッタ構造」であるとする中川の論について考察した。中川モデル(2006年)は,「非対称pin⁺ダイオードとMOSFETの直列接続」と見なしていると解釈される。これは,「pinダイオードとMOSFETの直列接続」より正確な表現である。一方,この限界条件における動作原理は,報告者が提案する「不完全度を減らしたpinダイオード」に近づけることと同等である。また,オン状態において,「IGBTのエミッタ側電荷担体密度が高くなることを指す」IE効果は,このpin⁺ダイオードのモデルでは当然の現象である。

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ダイオード

引用文献 (11件)：

(1) A. Nakagawa, "Theoretical Investigation of Silicon Limit Characteristics of IGBT," proc. ISPSD'06, pp.5-8, 2006
(2) 中川明夫,"世界を動かすシリコンパワー半導体-その発展の経緯と未来,"IEEE東京支部主催講演会講演資料,2011-1-17 <http://www.ne.ip/asahi/capri/ocean/>
(3) M. Sumitomo, J. Asai, H. Sakane, K. Arakawa, Y. Higuchi and M. Matsui, "Low loss IGBT with Partially Narrow Mesa Structure (PNM-IGBT)," proc. ISPSD2012. pp.17-20. 2012
(4) 戸倉規仁,"四半世紀におたるIGBT開発の軌跡(1984年~2009年),"電気学会論文誌D,Vo1.131, No.1, PP.1.8,2011
(5) 高田育紀,"IGBT最先端一デバイスからモジュールまで-,"H08電気学会全国大会先端技術セミナー資料,pp.17-25,1996-3-13

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