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J-GLOBAL ID：201202236090254830   整理番号：12A1387270

Si(100)基板/AlN中間層上への3C-SiCヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on an AlN intermediate layer on Si(100) substrate

著者 (4件)： 中澤日出樹 (弘前大 理工) ,  鈴木大樹 (弘前大 理工) ,  成田次理 (弘前大 理工) ,  山本陽平 (弘前大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 175(CPM2012 33-50)  ページ： 5-10  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： モノメチルシラン(CH₃SiH₃)を用いた化学気相成長法および炭化ケイ素(SiC)ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基板/窒化アルミニウム(AlN)層上に立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)のエピタキシャル成長を行い,成長条件による結晶性および表面モフォロジーの変化を調べた。Si基板上のAlN層はAlNターゲットを用いたレーザーアブレーション法により形成した。SiCの成長速度はSi基板上に比べてSi基板/AlN層上の方が大きくなることがわかった。Si基板上へのSiC成長は基板温度の増加に伴い基板Si原子の外方拡散が起こりボイドの形成が促進されるが,AlN中間層を導入することでボイドの発生を抑制することに成功した。さらにSi基板上には3C-SiC(100)が成長するのに対してSi/AlN上には3C-SiC(111)が成長し,AlN中間層を導入することでSiC薄膜の結晶性および薄膜表面粗さが改善されることがわかった。また,CVD法に比べてPLD法で作製した方が,ボイドの形成が抑制され結晶性および表面モフォロジーが優れていることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  ケイ素 ,  化学蒸着 ,  レーザアブレーション ,  *窒化アルミニウム ,  *立方晶系 ,  *ヘテロエピタクシー ,  層 ,  *表面粗さ ,  基板 ,  堆積速度 ,  基板温度 ,  空孔欠陥 ,  結晶度 ,  RHEED ,  X線回折 ,  レーザ蒸着 ,  原子間力顕微鏡 ,  パルスレーザ蒸着 ,  中間層 ,  3C-炭化ケイ素
準シソーラス用語： 化学気相成長 ,  3C-SiC ,  PLD【蒸着】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (10件)：

• MUNCH, W. V. Silicon carbide bipolar transistor. Solid-State Electron. 1978, 21, 479-480
• NISHINO, S. Production of largest-area single crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices. Appl. Phys. Lett. 1983, 42, 460-462
• MOTOYAMA, S. Low-temperature growth of 3C-SiC by the gas source molecular beam epitaxial method. Appl. Phys. Lett. 1989, 54, 242-243
• ZEKENTES, K. Gas source molecular beam epitaxy of β-SiC on Si substrates. Appl. Surf. Sci. 1996, 102, 22-27
• LIU, Z. Effects of and substrate temperature on the aC-SiG on Si(111)by SSMBE. Appl. Surf. Sci. 2008, 254, 3207-3210

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  AlN ,  中間層 ,  3C-SiC ,  テロ ,  エピタキシャル成長