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J-GLOBAL ID：201202241746930636   整理番号：12A1756901

C面サファイア上に成長させたバンドギャップ加工したα-(Cr_xFe_1-x)₂O₃薄膜(0≦x≦1)に関するエピタキシャル構造

Epitaxial Structures of Band-Gap-Engineered α-(Cr_xFe_1-x)₂O₃ (0≦x≦1) Films Grown on C-Plane Sapphire

著者 (4件)： MASHIKO Hisanori (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OSHIMA Takayoshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTOMO Akira (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHTOMO Akira (Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 11,Issue 2  ページ： 11PG11.1-11PG11.5  発行年： 2012年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-Cr₂O₃とα-Fe₂O₃との固溶体は,バンドギャップが,端成分のそれよりも狭い新しい酸化物半導体である。著者らは,c面サファイア基板上にパルスレーザ蒸着したα-(Cr_xFe_1-x)₂O₃薄膜について,ヘテロエピタキシャル成長および結晶構造を調べた。α-Fe₂O₃に対して最適化した成長条件の下で,α-Fe₂O₃とα-Cr₂O₃との両者について,RHEED振動を観測できて,それにより,層毎の薄膜厚さ制御が可能になった。相純度,配向,歪および面内回転分域を含むエピタキシャル構造の組成依存性のキャラクタリゼーションをX線回折で行い,無欠陥組成範囲(0≦x≦0.50)を明らかにした。0.60≦x≦1の薄膜は,180°回転分域を有することが分かった。α-(Cr_0.50Fe_0.50)₂O₃固溶体(コランダム)と超格子(イルメナイト)薄膜との吸収スペクトルを,端成分およびα-Fe₂O₃/α-Cr₂O₃二重層薄膜のそれと比較し,上記バンドギャップ狭まりの起源を明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *バンドギャップ ,  固溶体 ,  多層膜 ,  *酸化鉄 ,  *酸化クロム ,  *半導体薄膜 ,  レーザ蒸着 ,  基板 ,  サファイア ,  ヘテロエピタクシー ,  コランダム型結晶 ,  結晶構造 ,  振動 ,  RHEED ,  濃度依存性 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線回折 ,  優先配向 ,  結晶方位 ,  格子欠陥 ,  成分 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： RHEED振動 ,  イルメナイト型結晶 ,  ナローバンドギャップ半導体 ,  端成分 ,  二重層

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (25件)：

• 1) Z. Zou, J. Ye, K. Sayama, and H. Arakawa: Nature 414 (2001) 625.
• 2) K. Maeda and K. Domen: Chem. Mater. 22 (2010) 612.
• 3) G. Hitoki, T. Takata, J. N. Kondo, M. Hara, H. Kobayashi, and K. Domen: Chem. Commun. (2002) 1698.
• 4) R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohkawa, K. Aoki, and Y. Taga: Science 293 (2001) 269.
• 5) N. Serpone: J. Phys. Chem. B 110 (2006) 24287.

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  成長 ,  バンドギャップ ,  薄膜 ,  エピタキシャル