文献
J-GLOBAL ID:201202244040777869   整理番号:12A1600892

高電圧ICプロセスにおける中空を有するトレンチ分離の効用

Evolution of trench isolation with air-gap in high voltage IC process
著者 (11件):
資料名:
巻: EDD-12  号: 42-51.53-58  ページ: 23-28  発行年: 2012年10月25日 
JST資料番号: Z0910A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
10~200Vの耐圧が必要となる高電圧ICの製造に用いられるBiC-DMOS(BiCMOS&DMOS)プロセスの素子分離耐圧構造として,中空を有するDTI(Deep Trench Isolation)分離を開発し,従来の酸化物埋め込みトレンチ構造と比較した。分離耐圧評価で中空とすることによる分離耐圧向上を確認した。またラマン分光解析で中空構造による熱処理時の応力緩和効果を確認した。さらに高温逆バイアスストレス試験のリーク電量評価により,この構造が十分な信頼性を有することも確認した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (6件):
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る