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J-GLOBAL ID：201202245508344651   整理番号：12A1092712

極紫外線パターン形成用にHfO₂やZrO₂からのナノ粒子フォトレジスト

Nanoparticle Photoresists from HfO₂ and ZrO₂ for EUV Patterning

著者 (9件)： TRIKERIOTIS Markos (Cornell Univ., NY) ,  KRYSAK Marie (Cornell Univ., NY) ,  CHUNG Yeon Sook (Cornell Univ., NY) ,  OUYANG Christine (Cornell Univ., NY) ,  CARDINEAU Brian (Univ. NY) ,  BRAINARD Robert (Univ. NY) ,  OBER Christopher K. (Cornell Univ., NY) ,  GIANNELIS Emmanuel P. (Cornell Univ., NY) ,  CHO Kyoungyong (SEMATECH Inc., NY)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 25  号： 5  ページ： 583-586  発行年： 2012年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極紫外線レジストに対する要求性能は,全く新しいレジストプラットフォームの開発を要求するであろう。これ等の新しいHfO₂およびZrO₂ナノ粒子レジストを設計する上での難問は,極紫外線波長で最適な吸光度を維持するとはいえ,画像化とエッチング抵抗性に於ける優れた両性能を与えるであろう分子構造を選択することであった。以前に,著者等は193nmでの無機ナノ粒子フォトレジストと電子ビームリソグラフィーの使用を述べた。これ等の無機フォトレジストは酸化物ナノ粒子で作られており,高分子レジストより多い25回であるエッチング抵抗性を示していた。これ等の材料の高いエッチング抵抗性は超薄膜(<40nm)の加工を可能にしており,パターンへこみ無しで20nm以下の解像限界を現像するのに役立つであろう。更に,小さな寸法のナノ粒子(<5nm)は低いラインエッジ粗さ(LER)につながっていた。本報では,これ等の無機レジストを極紫外線リソグラフィーへ適用可能である,ことを示した。極めて高感度で低いLERを有する高解像度パターン形成(<30nm)を成功裏に達成できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  無機化合物 ,  *フォトレジスト ,  *酸化ハフニウム ,  *酸化ジルコニウム ,  *ナノ粒子 ,  電子ビームリソグラフィー ,  *耐化学性 ,  最適設計 ,  度 ,  超薄膜 ,  パターン形成 ,  変形 ,  表面粗さ ,  高分解能 ,  吸光度
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  *ナノ粒子リソグラフィー ,  へこみ ,  ラインエッジ粗さ ,  画像化 ,  解像度 ,  *耐エッチング性

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  抵抗性  (YH02050K)

引用文献 (5件)：

• [1] Levinson, H. J., J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 8(4), 041501 (2009).
• [2] Gokan, H., Esho, S. and Ohnishi, Y., J. Electrochem. Soc. 130, 143-146 (1983).
• [3] Henke, B. L., Gullikson, E. M. and. Davis, J. C., Atomic Data and Nuclear Data Tables 54(2), 181-342 (1993).
• [4] Trikeriotis, M., Bae, W. J., Schwartz, E., Krysak, M., Lafferty, N., Xie, P., Smith, B., Zimmerman, P. A., Ober, C. K. and Giannelis, E. P., Proc. SPIE 7639, 76390E/1-76390E/10 (2010).
• [5] Krysak, M., Trikeriotis, M., Schwartz, E., Lafferty, N., Xie, P., Smith, B., Zimmerman, P. A., Montgomery, W., Giannelis, E. P. and Ober, C. K., Proc. SPIE 7972, 79721C (2011).

タイトルに関連する用語 (6件)： 極紫外線 ,  パターン形成 ,  HfO2 ,  ZrO2 ,  ナノ粒子 ,  フォトレジスト