高破壊電圧と低オン抵抗のSchottkyソース/ドレーンInAlN/GaN金属-絶縁体-半導体 高電子移動度トランジスタ

ZHOU Qi; CHEN Hongwei; ZHOU Chunhua; FENG Zhihong; CAI Shujun; CHEN Kevin J.

文献

J-GLOBAL ID：201202246019347890 整理番号：12A0706104

高破壊電圧と低オン抵抗のSchottkyソース/ドレーンInAlN/GaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ

Schottky Source/Drain InAlN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with High Breakdown Voltage and Low On-Resistance

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資料名：
巻： 51 号： 4,Issue 2 ページ： 04DF02.1-04DF02.4 発行年： 2012年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

この研究で,オフ状態破壊電圧V_BD改善のために InAlN/GaN金属-絶縁体-半導体高電子移動度トランジスタ(MISHEMTs)において,Schottkyソース/ドレーン(SSD)を使う新しいデバイス技術を提示した。Schottkyソース/ドレーン設計は,従来のMISHEMTsと比較して効果的にソース・キャリア注入を防げ,SSD MISHEMTsのV_BDを強化した。InAlN/GaN SSD MISHEMTsで,2.27mΩ・cm²の低比R_onで,従来のMISHEMTsと比較して170%のV_BDの改善となる460VのV_BDを得た。Schottkyソース/ドレーンの使用にもかかわらず,1μmのゲート長のSSD MISHEMTは相当な416mA/mmのドレーン電流密度と113ms/mmの相互コンダクタンスを示した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (21件)：

1) J. Kuzmik: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 510.
2) H. Wang, J. W. Chung, X. Gao, S. Guo, and T. Palacios: Phys. Status Solidi C 7 (2010) 2440.
3) R. Wang, P. Saunier, X. Xing, C. Lian, X. Gao, S. Guo, G. Snider, P. Fay, D. Jena, and H. Xing: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 1383.
4) D. F. Brown, Nidhi, F. Wu, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 800.
5) F. Medjdoub, M. Alomari, J. F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M. A. Py, N. Grandjean, and E. Kohn: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 422.

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