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J-GLOBAL ID：201202248394515832   整理番号：12A0395060

Siバッファ層を取り込んだCeO2利用のReRAMセルの抵抗性スイッチング挙動

Resistive switching behavior of a CeO2 based ReRAM cell incorporated with Si buffer layer
著者 (9件)：
DOU C.

DOU C. について

(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)

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KAKUSHIMA K.

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(Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, JPN)

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AHMET P.

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TSUTSUI K.

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NISHIYAMA A.

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SUGII N.

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NATORI K.

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HATTORI T.

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IWAI H.

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資料名：
Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)

Microelectronics Reliability について


巻： 52  号： 4  ページ： 688-691  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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境界に非常に薄いSiバッファ層を取り込んだ革新的なW/CeO2/Si/TiN構造の抵抗性スイッチングデバイスを提案する。Si層がないデバイスに比べ,フォーミング電圧,動作電力,そしてウインドウおよび耐久特性などのメモリデバイス性能が著しく改良するとわかった。この改良はCeシリサイドの形成と,界面における適量の酸素空孔によるものである。掃引電圧によるW/CeO2/Si/TiNデバイスの穏やかなリセット過程を,並列導電性フィラメントモデルにより定量的に解析した。この結果は,将来のデバイス性能の最適化のための動作電圧コントロール指針を与え,また,穏やかなリセットプロセスに関する新しい知見ともなる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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バッファ層

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酸化セリウム

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素子構造

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電気抵抗

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準シソーラス用語：
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分類 (1件)：
分類
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半導体集積回路 
(NC03162T)

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タイトルに関連する用語 (7件)：
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