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J-GLOBAL ID：201202249590118325   整理番号：12A1057330

TaO_x層挿入によるHfO₂/Ge界面反応制御

Interface Reaction Control of HfO₂/Ge structure by an Insertion of TaO_x layer

著者 (6件)： 村上秀樹 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  三嶋健斗 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  大田晃生 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  橋本邦明 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  東清一郎 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  宮崎誠一 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 92(SDM2012 43-62)  ページ： 33-36  発行年： 2012年06月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GeチャネルMISFET実現のために必要不可欠なHigh-k/Ge界面制御手法として,極薄TaOx層の挿入に着目し,Ge表面へのTaO_xのMOCVDによるLayer-by-Layer成膜を行い,界面近傍の化学結合状態について評価を行った。その結果,HfO₂/Ge界面に形成したTaO_x挿入層/Ge界面近傍で成膜中および成膜後の熱負荷によるTaOx層中へのGeの拡散が確認されるものの,厚さ~1nm以上のTaO_x挿入が,誘電率低下の要因となるGe界面酸化層の形成抑制に有効であることが明らかとなった。また,Ge拡散により界面に形成されたTaGe_xO_y層の比誘電率は,GeO₂の値の約1.7倍の9であることから,EOT低減に効果的であることを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *MISFET ,  誘電体薄膜 ,  *酸化タンタル ,  MOCVD ,  化学結合 ,  誘電率 ,  拡散層 ,  挿入 ,  界面
準シソーラス用語： high-k膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• SZE, S. M. Physics of Semiconductor Devices. 789
• SHANG, H. High mobility p-channel germanium MOSFETs with a thin Ge oxynitride gate dielectric. IEDM Tech. Dig., 2002. 2002, 441-444
• International Technology Roadmap for Semiconductor 2011, Table PIDS5
• HYOUNGSUB, K. Interfacial characteristics of HfO_2 grown on nitrided Ge (100) substrates by atomic-layer deposition. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 14, 2902-2904
• MURAKAMI, H. ECS Trans. 2010, 33, 253-258

タイトルに関連する用語 (3件)： HfO2 ,  Ge ,  界面反応