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J-GLOBAL ID：201202250246198423   整理番号：12A0248671

プラズマに基づく移動増強アフターグロー化学蒸着装置を用いた窒化ガリウム膜成長

Gallium Nitride Film Growth Using a Plasma Based Migration Enhanced Afterglow Chemical Vapor Deposition System

著者 (10件)： BUTCHER K. Scott A. (Lakehead Univ., Ontario, CAN) ,  BUTCHER K. Scott A. (Meaglow Ltd., Ontario, CAN) ,  KEMP Brad W. (Lakehead Univ., Ontario, CAN) ,  KEMP Brad W. (Meaglow Ltd., Ontario, CAN) ,  HRISTOV Ilian B. (Lakehead Univ., Ontario, CAN) ,  HRISTOV Ilian B. (Meaglow Ltd., Ontario, CAN) ,  TERZIYSKA Penka (Lakehead Univ., Ontario, CAN) ,  BINSTED Peter W. (Lakehead Univ., Ontario, CAN) ,  ALEXANDROV Dimiter (Lakehead Univ., Ontario, CAN) ,  ALEXANDROV Dimiter (Meaglow Ltd., Ontario, CAN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 1,Issue 2  ページ： 01AF02.1-01AF02.5  発行年： 2012年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEAglowと呼ぶ新しい増強エピタクシー技術により窒化ガリウム層を成長させた。初期実験を行って用いたプラズマ源を特性化し,この技術で成長させた薄い試料の表面を調べた。原子間力顕微鏡(AFM)観察は650°Cで成長させたサンプルの表面粗さ値が≦1nmであることを示し,これは窒化サファイア基板上に直接成長させたGa面材料と整合した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アフターグロー ,  *プラズマCVD ,  エピタクシー ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *表面粗さ ,  基板
準シソーラス用語： サファイア基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (28件)：

• 1) S. D. Burnham, W. Henderson, and W. A. Doolittle: Phys. Status Solidi C 5 (2008) 1855.
• 2) G. Namkoong, E. Trybus, K. K. Lee, M. Moseley, W. A. Doolittle, and D. C. Look: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 172112.
• 3) S. D. Burnham, G. Namkoong, D. C. Look, B. Clafin, and W. A. Doolittle: J. Appl. Phys. 104 (2008) 024902.
• 4) E. Trybus, W. A. Doolittle, M. Moseley, W. Henderson, D. Billingsely, G. Namkoong, and D. C. Look: Phys. Status Solidi C 6 (2009) 5788.
• 5) M. Moseley, D. Billingsley, W. Henderson, E. Trybus, and W. A. Doolittle: J. Appl. Phys. 106 (2009) 014905.

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  増強 ,  アフターグロー ,  化学蒸着 ,  窒化ガリウム ,  膜成長