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J-GLOBAL ID：201202251967205249   整理番号：12A1440876

電子サイクロトロン共鳴プラズマ窒化と室温スパッタによって準備したSi₃N₄/GeN_x/pとn-Ge構造の熱改善と安定性,

Thermal Improvement and Stability of Si₃N₄/GeN_x/p- and n-Ge Structures Prepared by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Nitridation and Sputtering at Room Temperature

著者 (7件)： FUKUDA Yukio (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  OKAMOTO Hiroshi (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  IWASAKI Takuro (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  IZUMI Kohei (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  OTANI Yohei (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  ISHIZAKI Hiroki (Tokyo Univ. Sci., Nagano, JPN) ,  ONO Toshiro (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 9,Issue 1  ページ： 090204.1-090204.3  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文は,Si₃N₄/GeN_xの熱改善について報告した。Ge基板上に電子サイクロトロン共鳴プラズマ窒化と室温スパッタにより,Si₃N₄(5nm)/GeN_x(2nm)スタックを準備した後,大気圧のN₂+ 10%のH₂環境で,温度 400~600°CCで熱アニールした。Geミッドギャップの近くで,最小インタフェイス・トラップ密度(Dit)~1×10₁₁ cm^-2eV^-1で, 最高500°Cの温度までGeN_x/Geインタフェイスの電子特性が熱的に改善したことを実証した。一方,600°Cのアニールした後にインタフェイス特性は最小Dit値が~4×10₁₁cm^-2eV^-1で,わずかに劣化した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *サイクロトロン共鳴 ,  プラズマ ,  窒化 ,  *窒化ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  安定性 ,  基板 ,  スパッタ【欠陥】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (21件)：

• 1) T. Maeda, T. Yasuda, M. Nishizawa, N. Miyata, Y. Morita, and S. Takagi: J. Appl. Phys. 100 (2006) 014101.
• 2) S. J. Wang, J. W. Chai, J. S.. Pan, and A. C. H. Huan: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 022105
• 3) T. Maeda, M. Nishizawa, Y. Morita, and S. Takagi. Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 072911
• 4) Y. Otani, Y. Itayama, T. Tanaka, Y. Fukuda, H. Toyota, T. Ono, M. Mitsui, and K. Nakagawa: Appl. Phys. Lett 90 (2007) 142114.
• 5) Y. Fukuda, Y. Otani, H. Toyota, and T. Ono: Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 022902.

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  窒化 ,  室温 ,  スパッタ ,  Si3N4 ,  安定性