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J-GLOBAL ID：201202253374140615   整理番号：12A0706151

Sbドープn⁺-BaSi₂/p⁺-Siトンネル接合からアンドープBaSi₂被覆層へのSb拡散抑制についての固相エピタキシーSi層の効果

Effect of Solid-Phase-Epitaxy Si Layers on Suppression of Sb Diffusion from Sb-Doped n⁺-BaSi₂/p⁺-Si Tunnel Junction to Undoped BaSi₂ Overlayers

著者 (8件)： DU Weijie (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SAITO Takanobu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KHAN Muhammad Ajmal (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TOKO Kaoru (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  USAMI Noritaka (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  USAMI Noritaka (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU Takashi (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 2  ページ： 04DP01.1-04DP01.4  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sbドープn⁺-BaSi₂/p⁺-Siトンネル接合上のアンドープBaSi₂被覆層のSb拡散の少ない成長のための新しい方法を提案する。アンドープBaSi₂/Si/Sbドープn⁺-BaSi₂/p⁺-Si構造を持つ試料を準備した;挿入Si層は固相エピタキシーによって成長し,BaSi₂被覆層の成長に間のSb拡散を防止するために使用した。2次イオン質量分析法による測定はアンドープBaSi₂被覆層の成長温度が500°Cおよびそれより低いとき,Sb拡散が効果的に抑制されていることを示した。X線回折(XRD)ロッキングカーブにより440°Cで成長したBaSi₂に対して,成長温度がこの温度より高くなければならないことを示して,BaSi₂(600)強度の半値全幅は著しく増加したことを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  アンチモン ,  *ケイ化物 ,  バリウム化合物 ,  *ケイ素 ,  被覆層 ,  拡散律速 ,  エピタクシー ,  温度 ,  FWHM ,  *トンネル接合 ,  *ドーピング ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  ケイ化バリウム ,  *固相エピタキシー ,  成長温度 ,  薄膜太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (27件)：

• 1) T. Nakamura, T. Suemasu, K. Takakura, F. Hasegawa, A. Wakahara, and M. Imai: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1032.
• 2) K. Morita, Y. Inomata, and T. Suemasu: Thin Solid Films 508 (2006) 363.
• 3) K. Toh, T. Saito, and T. Suemasu: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 068001.
• 4) K. Morita, Y. Inomata, and T. Suemasu: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L390.
• 5) T. Suemasu, K. Morita, and M. Kobayashi: J. Cryst. Growth 301-302 (2007) 680.

タイトルに関連する用語 (8件)： Sb ,  ドープ ,  Si ,  トンネル接合 ,  被覆層 ,  拡散 ,  固相エピタキシー ,  Si層