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J-GLOBAL ID：201202254339758580   整理番号：12A0160894

印加パルス電場下の強誘電性薄膜のその場格子歪分析

In-situ lattice-strain analysis of a ferroelectric thin film under an applied pulse electric field

著者 (7件)： SAKATA O. (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst./SPring-8, Hyogo, JPN) ,  SAKATA O. (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  YASUI S. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMADA T. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YABASHI M. (RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN) ,  KIMURA S. (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst./SPring-8, Hyogo, JPN) ,  FUNAKUBO H. (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1234  ページ： 151-154  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 印加 ,  パルス電場 ,  強誘電性薄膜 ,  格子歪 ,  分析