La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>キャップ層の厚さが,High-k/メタルゲートスタックを有するn-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのホットキャリア劣化に及ぼす効果

KIM Dongwoo; LEE Seonhaeng; KIM Cheolgyu; OH Taekyung; KANG Bongkoo

文献

J-GLOBAL ID：201202258012997269 整理番号：12A0495346

La₂O₃キャップ層の厚さが,High-k/メタルゲートスタックを有するn-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのホットキャリア劣化に及ぼす効果

Effect of La₂O₃ Capping Layer Thickness on Hot-Carrier Degradation of n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with High-k/Metal Gate Stacks

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資料名：
巻： 51 号： 2,Issue 2 ページ： 02BC010.1-02BC010.3 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

La₂O₃キャップ層の厚さが,High-k/メタルゲートスタックを有するn-チャンネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(n-MOSFETs) のホットキャリア劣化に及ぼす効果を調べた。ホットキャリア劣化は,しきい値電圧V_th,相互コンダクタンスg_m,および閾値下の勾配SSにより観測した。La₂O₃層の厚さの増加に従い,La₂O₃層がHfSiO層の上,または,下に被着されるかどうかにかかわらずV_th劣化は増速した。ホットキャリアストレスによって引き起こされる界面トラップの発生は,下部のキャッピング層の厚さの増加とともに増大する。一方,ホットキャリア・ストレスによって引き起こされた酸化物中のトラップの発生は,上部のキャッピング層の厚さとともに増化する。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (21件)：

1) E. P. Gusev, E. Cartier, D. A. Buchanan, M. Gribelyuk, M. Copel, H. Okorn-Schmidt, and C. D'Emic: Microelectron. Eng. 59 (2001) 341.
2) Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, and C, M. Kwei: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 341.
3) G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5243.
4) A. Callegari, E. Carder, M. Gribelyuk, H. F. Okorn-Schmidt, and T. Zabel: 1. Appl. Phys. 90 (2001) 6466.
5) M. Gutowski, J. E. Jaffe, C.-L. Liu, M. Stoker, R. I. Hegde, R. S. Rai, and P. J. Tobin: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1S97.

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La2O3キャップ層の厚さが,High-k/メタルゲートスタックを有するn-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのホットキャリア劣化に及ぼす効果

La₂O₃キャップ層の厚さが,High-k/メタルゲートスタックを有するn-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのホットキャリア劣化に及ぼす効果