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J-GLOBAL ID：201202260684196048   整理番号：12A0549346

シリコンナノチェイン電界効果トランジスタにおける高オン/オフ比及びマルチモード輸送

High ON/OFF ratio and multimode transport in silicon nanochains field effect transistors

著者 (7件)： RAFIQ M. A. (Quantum Nanoelectronics Res. Centre, Tokyo Inst. of Technol., O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN) ,  MASUBUCHI K. (Quantum Nanoelectronics Res. Centre, Tokyo Inst. of Technol., O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN) ,  DURRANI Z. A. K. (SORST JST, JPN) ,  COLLI A. (Nokia Res. Centre C/O Nanoscience Centre, Cambridge CB30FF, GBR) ,  MIZUTA H. (SORST JST, JPN) ,  MILNE W. I. (SORST JST, JPN) ,  ODA S. (Quantum Nanoelectronics Res. Centre, Tokyo Inst. of Technol., O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 11  ページ： 113108-113108-4  発行年： 2012年03月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノチェイン素子においてマルチモード輸送及び高いオン/オフ比を観察した。SiO固体ソースの熱蒸着によって成長したシリコンナノチェインは,SiO₂領域によって分離された直径~10nmのシリコンナノ結晶のチェーンから構成されている。その素子は,シリコン基板上で熱的に成長したSiO₂に電子ビームリソグラフィーを用いて製造された。これらの素子は,10⁴までの高いオン/オフ電流比を示した。~500mV/decade程度の小さい逆サブしきい値勾配が,これらのデバイスに観察された。従って,シリコンナノチェインが電界効果トランジスタに使われる大きな可能性を有していると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *チェーン ,  真空蒸着 ,  電子ビームリソグラフィー ,  比率 ,  電流電圧特性 ,  リソグラフィー ,  スイッチング
準シソーラス用語： ナノチェーン ,  スイッチング電流比 ,  ナノリソグラフィー

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ナノチェイン ,  電界効果トランジスタ ,  高 ,  マルチモード ,  輸送