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J-GLOBAL ID：201202261737588934   整理番号：12A1166671

有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製

Fabrication of a SiC/Ge-Nanodots Stacked Structure Using Organometallic Compounds

著者 (9件)： 姉崎豊 (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  大谷孝史 (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  須藤晴紀 (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  加藤孝弘 (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  加藤有行 (Nagaoka Univ. of Technol.) ,  末光眞希 (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ.) ,  成田克 (Yamagata Univ.) ,  中澤日出樹 (Hirosaki Univ.) ,  安井寛治 (Nagaoka Univ. of Technol.)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 33  号： 7  ページ： 376-381 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノメチルゲルマン(MMGe)を用いてc(4×4)構造の形成後にSi(001)2^ooff基盤上にGe(GeC_x)そしてSiC(SiCGe_x)ナノドットを形成した。Ge(GeC_x)そしてSiC(SiCGe_x)ナノドットの表面構造は走査型トンネル顕微鏡(STM)で測定された。X線光電子分光法(XPS)の定量分析からGe(GeC_x)そしてSiC(SiCGe_x)ナノドットは約1:2.4比で存在すると推定された。SiCキャップ層はモノメチルシラン(MMSi)を用いて550-650°Cで生成されたGe(GeC_x),SiC(SiCGe_x)ナノドット上に形成された。SiC/Ge(GeC_x),SiC(SiCGe_x)ドット/SiC_x積層構造からの光ルミネセンス(PL)スペクトルが測定された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *積層構造 ,  表面構造 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  光ルミネセンス ,  *ゲルマニウム化合物 ,  炭化物 ,  量子ドット ,  保護膜 ,  *ナノドット ,  構造
準シソーラス用語： キャップ層

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (2件)： メチルゲルマン ,  メチルシラン

引用文献 (21件)：

• 1) J. Drucker: IEEE J. Quantum Electron. 38, 975 (2002).
• 2) Y. Shiraki and A. Sakai: Surf. Sci. Rep. 59, 153 (2005).
• 3) H. Sunamura, N. Usami, Y. Shiraki and S. Fukatsu: Appl. Phys. Lett. 66, 3024 (1995).
• 4) O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle and F. Ernst: Thin Solid Films 321, 70 (1998).
• 5) Vinh Le Thanh, P. Boucaud, D. Débarre, Y. Zheng, D. Bouchier and J.-M. Lourtioz: Phys. Rev. B 58, 13115 (1998).

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属化合物 ,  SiC ,  Ge ,  ナノドット ,  積層構造 ,  作製