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J-GLOBAL ID：201202265764209673   整理番号：12A0929658

三次元ICパッケージングのためのキャビティにTSVのあるシリコンインターポーザの設計と製作

Design and Fabrication of a Silicon Interposer With TSVs in Cavities for Three-Dimensional IC Packaging

著者 (4件)： ZHANG Rong (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LO Jeffery C. C. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LEE S. W. Ricky (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LEE S. W. Ricky (HKUST LED-FPD Technol. R&D Center at Foshan, Guangdong, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 12  号： 2  ページ： 189-193  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インターポーザは高密度I/Oのデバイスを有機基板に接続する時に使われる。インターポーザはデバイスのI/Oを再配置して,より大きなバンプとバンプ間隔で基板に接続できるようにする。3Dパッケージング用としてインターポーザにキャビティを形成し,キャビティ内にCuによるTSVを設けインターポーザ裏面の配線と接続する。TSVのCuピラーにメッキでバンプを作り,フリップチップデバイスを実装する。フリップチップの裏面はインターポーザ表面よりも低くなるように設計してあるので,更にチップを積層することも可能である。キャビティの側壁を垂直にするために,インターポーザは(100)シリコンを使用している。シリコンインターポーザの製作について詳細に検討した。

シソーラス用語： ICパッケージ ,  バイアホール ,  固体回路部品 ,  空洞 ,  フェースボンディング ,  *高密度実装 ,  バンプ ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *TSV【配線】 ,  *インターポーザ ,  キャビティ ,  シリコン基板 ,  はんだバンプ ,  フリップチップ接続 ,  三次元実装

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： IC ,  パッケージング ,  キャビティ ,  TSV ,  シリコン ,  インターポーザ ,  設計 ,  製作