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J-GLOBAL ID：201202266926774988   整理番号：12A1602423

n型電子誘起強磁性半導体(In,Fe)Asの成長とキャラクタリゼーション

Growth and characterization of n-type electron-induced ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As

著者 (8件)： NAM HAI Pham (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  DUC ANH Le (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  MOHAN Shyam (Dep. of Applied Physics, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAMEGAI Tsuyoshi (Dep. of Applied Physics, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  KODZUKA Masaya (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  OHKUBO Tadakatsu (National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  HONO Kazuhiro (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  TANAKA Masaaki (Dep. of Electrical Engineering and Information Systems, The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 18  ページ： 182403-182403-5  発行年： 2012年10月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,InAsに等電子磁性不純物の鉄(Fe)および二重ドナー原子のベリリウム(Be)を導入し,Feおよび独立のキャリアドーピングによって強磁性を制御できるn型強磁性半導体(FMS)の成長が,低温における分子ビームエピタクシーで可能なことを示した。電子ドープ(In,Fe)Asは,n型の電子誘起FMSとしての特性を持つことが分かった。この技法の完成によって,スピン発光ダイオード,あるいはスピン電界効果トランジスタなどのスピン素子の実現が可能になり,またFMSにおけるキャリア媒介強磁性の機構を理解する手助けとなることを指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,  *ヒ化インジウム ,  ドーピング ,  鉄 ,  ベリリウム ,  *MBE成長 ,  N型半導体 ,  低温 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  磁気円二色性 ,  濃度依存性 ,  磁化 ,  温度依存性 ,  電気伝導率 ,  Curie温度 ,  *磁性薄膜 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： HRTEM ,  電子ドーピング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  誘起 ,  強磁性半導体 ,  Fe ,  成長 ,  キャラクタリゼーション