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J-GLOBAL ID：201202267327098407   整理番号：12A1584227

リング状に閉じ込められたリセット電流の小さいカルコゲナイド相変化メモリ

Low-Reset-Current Ring-Confined-Chalcogenide Phase Change Memory

著者 (2件)： YIN You (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  HOSAKA Sumio (Gunma Univ., Gunma, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 10,Issue 1  ページ： 104202.1-104202.5  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のノーマルボトムコンタクト(NBC)セルやノーマルコンファインドカルコゲナイド(CC)セルに比べてリセット電流を低減できる,リング状に閉じ込められたカルコゲナイド(RCC)相変化メモリを提案した。カルコゲナイドとしてはGe₂Sb₂Te₅(GST)を考えた。提案したRCCセルについて有限要素法を用いて,GSTで囲まれた半径の異なるSiO₂シリンダ構造の温度分布およびセル抵抗のプログラム電流依存性を系統的に解析し,NBCおよびCCセルと比較した。SiO₂シリンダの半径を増大させると,プログラム電流の変化に伴う最大温度は驚くほど増大した。セル抵抗とプログラム電流には同等な関係があることから,RCCのリセット電流は従来のNBCPCMセルに比べ,41%減少可能である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化物 ,  テルル化物 ,  化合物半導体 ,  *不揮発性メモリ ,  *電流 ,  リング ,  有限要素法 ,  温度分布 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  *リセット電流

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (31件)：

• 1) T. Fujiaki, K. Ohkura, and A. Nakajima: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 4985.
• 2) Y. Yin, J. F. Jiang, Q. Y. Cai, and B. C. Cai: Chin. J. Electron. 12 (2003) 451.
• 3) W. Xuan, A. Beaumont, M. Guilmain, M. A. Bounouar, N. Baboux, J. Etzkorn, D. Drouin, and F. Calmon: IEEE Trans. Electron Devices 59 (2012) 212.
• 4) D. D. Jiang, Z. L. Huo, M. H. Zhang, L. Jin, J. Bai, Z. A. Yu, J. Liu, Q. Wang, X. N. Yang, Y. Wang, B. Zhang, J. N. Chen, and M. Liu: Semicond. Sci. Technol. 26 (2011) 115008.
• 5) B. Lei, C. Li, D. H. Zhang, Q. F. Zhou, K. K. Shung, and C. W. Zhou: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 4553.

タイトルに関連する用語 (3件)： リセット電流 ,  カルコゲナイド ,  相変化メモリ