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J-GLOBAL ID：201202268846625135   整理番号：12A1439706

EUVLパイロットラインのためのマスク準備

Mask Readiness for EUVL Pilot Line

著者 (3件)： HAYASHI Naoya (Dai Nippon Printing Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  ABE Tsukasa (Dai Nippon Printing Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  TAKIKAWA Tadahiko (Dai Nippon Printing Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8352  ページ： 835204.1-835204.5  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いくつかのEUVLパイロットラインがプレプロダクション装置で2012年に立ち上がる。露光装置に生産性の問題があるがEUVマスクの要求が2012年には出てくる。本報告はパターン品質,関連するインフラ,マスクハンドリングフローなどのEUVマスク準備状況を記す。EUVLマスクは光学マスクの製造技術延長上で開発し,インフラ装置は次世代EUVに特化したものとした。現在のEUVLマスクを評価すると,CD均一性,パターン位置精度は22nmハーフピッチノードデバイスを満足させるものである。現在のマスクケースとEUVマスクに特化したデュアルポッドを組み合わせて,粒子制御とトータルコストを最適化するEUVLマスクハンドリングフローを提案した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *フォトリソグラフィー ,  マスク ,  パイロットプラント ,  型 ,  *品質 ,  インフラストラクチャー ,  均一性 ,  長さ
準シソーラス用語： CD均一性 ,  *EUVマスク ,  EUVリソグラフィー ,  パターン ,  露光装置

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： EUVL ,  パイロット ,  マスク