文献

J-GLOBAL ID：201202274104886221   整理番号：12A0991643

高速スイッチング動作を実現するノーマリオン形GaN HEMT

A High-Speed Switching Normally-on GaN HEMT

著者 (10件)： 石橋卓治 ,  豊田玄紀 ,  平木英治 ,  田中俊彦 ,  岡本昌幸 (JST-CREST) ,  岡本昌幸 (宇部工高専) ,  橋詰保 (JST-CREST) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  加地徹 (JST-CREST) ,  加地徹 (豊田中研)
資料名： 電気学会半導体電力変換研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： SPC-12  号： 79-81.83-95  ページ： 29-34  発行年： 2012年06月09日 
JST資料番号： Z0921A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体を材料とするパワーデバイスとして著者らが新たに開発したGaN HEMTについて静特性を明らかにし,その高速スイッチング動作を実現するノーマリオン形デバイス用ゲート駆動回路を試作し,その動作を確認した。動作実験結果から,新開発GaN HEMT は同定格のSiデバイスと比較して,高速スイッチング動作を実現できることを明らかにした。次に,GaNデバイス特有の現象である電流コラプス現象のスイッチング動作時にスイッチに及ぼす影響を実験的に評価した。電流コラプス現象の低減は,GaN HEMTの性能向上には不可欠である。さらに,GaN HEMTを用いて単相フルブリッジインバータを構成するため,インバータ用ゲートドライブ回路を試作した。実験結果から新開発GaN HEMTが高速スイッチング動作を実現し,安定なインバータ動作を確認し,実用的なパワーデバイスであることを明らかにした。

シソーラス用語： *HEMT ,  化合物半導体 ,  静特性 ,  ゲート回路 ,  *スイッチング素子 ,  電流コラプス ,  ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： ゲート駆動回路 ,  スイッチング性能 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  窒化ガリウムHEMT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• (1) S. Yoshida: “Electronic deveices using GaN”, A monthly publication of The Japan Society of Applied Physics , Vol. 68, No. 7, pp. 787-792 (1999-7)(in Japanese) 吉田清輝:「GaNを用いた電子デバイス」,応用物理,Vol.68,No.7,pp.787-792(1999-7)
• (2)橋詰保:「ワイドバンドギャップ半導体パワー素子の可能性」,富士時報,Vol.83,No.6,p.357(2010)
• (3) B. Ozpineci, L. Tolbert, S. Islam, and M. Chinthanvali: “COMPARISON OF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR POWER APPLICATIONS”, in Conference Record of the 10^th IEEE-EPE European Conference, Toulouse, France (2003)
• (4)G. Majumdar,井上薫,大村一郎,木本恒暢,四戸孝,常信和清,田上知紀,田中愼一,津田邦男,服部亮,牧本俊樹,松永高治,松本聡:「パワーデバイス」,丸善株式会社,pp.135-140(2011)
• (5) A. Lindow: “GaN as Displacement Technology for Silicon in Power Management”, in Proceedings of IEEE Energy Conversion Congress & Exposition, Arizona, USA, pp. 1-6 (2011)

タイトルに関連する用語 (3件)： スイッチング ,  GaN ,  HEMT