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J-GLOBAL ID：201202275475157652   整理番号：12A0741246

電界効果トランジスタにおける半導体π-共役系: 有機エレクトロニクスのための物質探求の旅

Semiconducting π-Conjugated Systems in Field-Effect Transistors: A Material Odyssey of Organic Electronics

著者 (5件)： WANG Chengliang (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  DONG Huanli (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  HU Wenping (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Yunqi (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHU Daoben (Inst. of Chemistry, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Chemical Reviews  (Chemical Reviews)
巻： 112  号： 4  ページ： 2208-2267  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： B0256A  ISSN： 0009-2665  CODEN： CHREAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1977年に高導電性ポリアセチレンが発見されて以来,π-共役系は次世代のエレクトロニクス,有機エレクトロニクス,の素材として,その開発及び応用研究が進んでいる。多くの分野での応用が期待されるが,中でも有機電界効果トランジスタ(OFET)は注目され,関連論文も近年,急増している。本レビューはOFET研究の最近の進歩を以下の項目に分けて包括的に論じた。取り上げたπ-共役系は700を超え,そのうち438系はP型小分子半導体,205系はN型小分子半導体,66系は高分子半導体である。本レビューがこの興味深い研究分野を次の段階に進めるための物質探求の旅(「オデュッセイア」のごとく)であることを期待する。1)デバイスパフォーマンスに影響する因子,2)小分子半導体 A.P型小分子半導体(芳香族炭化水素とその誘導体,カルコゲン含有複素環半導体,窒素含有複素環半導体),B.N型小分子半導体(ハロゲン含有半導体,シアノ含有半導体,カルボニル含有半導体及びそのイミド誘導体,フラーレン類),3)高分子半導体 A.P型高分子半導体,B.N型高分子半導体,4)OFETのための加工技術 A.薄膜トランジスタのための技術,B.単結晶トランジスタのための技術,5)高パフォーマンスOFETのためのπ-共役系に関する総括 A.分子設計: 構造と性質,B.デバイス物理: 物質配向デバイス最適化。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *共役 ,  電子技術 ,  *高分子 ,  分子設計 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  *有機半導体
準シソーラス用語： *π共役 ,  *π共役高分子 ,  有機エレクトロニクス ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界効果トランジスタ ,  有機エレクトロニクス ,  物質 ,  旅