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J-GLOBAL ID：201202281618977010   整理番号：12A0590199

フレキシブルなプラスチック基板上でのSi薄膜についての青色マルチレーザダイオードアニーリングによる結晶化

Crystallization of Si Thin Film on Flexible Plastic Substrate by Blue Multi-Laser Diode Annealing

著者 (9件)： OKADA Tatsuya (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  MUGIRANEZA Jean de Dieu (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  SHIRAI Katsuya (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  SUZUKI Toshiharu (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  NOGUCHI Takashi (Univ. Ryukyus, Okinawa, JPN) ,  MATSUSHIMA Hideki (Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  HASHIMOTO Takao (Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  OGINO Yoshiaki (Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SAHOTA Eiji (Hitachi Computer Peripherals Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 3,Issue 2  ページ： 03CA02.1-03CA02.3  発行年： 2012年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルなポリイミド(PI)基板上にコーティングしたSi薄膜を,CWモードの青色マルチレーザダイオードアニーリング(BLDA)によって結晶化することに成功した。50nmの厚さの前駆体Si薄膜は,室温で無線周波数(RF)スパッタリング装置を使用することで安定に成長した。引き続き,1.1Wの青色(445nm)レーザ光線を,500mm/sのスキャン速度でSi薄膜に照射した。照射後,基板損傷もSi薄膜表面劣化も観測されず,Si表面の平坦度は4.2nm(RMS)に保たれた。520cm^-1におけるRamanピークシフトと透過型電子顕微鏡(TEM)観測で,直径約50nmの微粒子の存在にもかかわらず,結晶化率を100%と推定した。BLDAによって,極低温多結晶シリコン(ポリシリコン)の実現が可能となり,次世代の「パネル上システム(SoP)」に適していると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ケイ素 ,  アモルファスシリコン ,  前駆体 ,  スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング ,  *レーザアニーリング ,  半導体レーザ ,  基板 ,  ポリイミド ,  *薄膜成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  屈折率 ,  *レーザ照射 ,  照射損傷

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

引用文献 (21件)：

• 1) D. Knipp, R. A. Street, A. Völkel, and J. Ho: J. Appl. Phys. 93 (2003) 347.
• 2) J. Jang and S. H. Han: Curr. Appl. Phys. 6 (2006) e17.
• 3) J. H. Lee, S. H. Kim, G. H. Kim, S. C. Lim, H Lee, J. Tang, and T. Zyung: Synth. Met. 139 (2003) 445.
• 4) S. Inoue, S. Utsunomiya, T. Saeki, and T. Shimoda: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 1353.
• 5) D. Y. Kim, J. Y. Kwon, J. S. Jung, K. B. Park, H. S. Cho, H. Lim, J. M. Kim, H. Yin, X. Zhang, and T. Noguchi: J. Korean Phys. Soc. 48 (2006) S61.

タイトルに関連する用語 (4件)： プラスチック基板 ,  Si薄膜 ,  青色 ,  結晶化