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J-GLOBAL ID：201202282212800433   整理番号：12A0417171

高信高度4H-SiCのMIS装置での窒素取込みによるAl₂O₃/SiO₂積層ゲート誘電体における電荷トラッピングサイトの低減

Reduction of Charge Trapping Sites in Al₂O₃/SiO₂ Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices

著者 (8件)： HOSOI Takuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAGEI Yusuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KIRINO Takashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MITANI Shuhei (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NAKANO Yuki (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA Takashi (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 679/680  ページ： 496-499  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高度 ,  4H-SiC ,  MIS ,  窒素 ,  取込み ,  Al2O3 ,  SiO2 ,  ゲート誘電体 ,  電荷トラッピング