文献

J-GLOBAL ID：201202290412959820   整理番号：12A1710146

Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長

Formation of AlN layers on Si substrates and growth of 3C-SiC on AlN/Si substrates

著者 (4件)： 中澤日出樹 (弘前大 大学院理工学研究科) ,  鈴木大樹 (弘前大 大学院理工学研究科) ,  成田次理 (弘前大 大学院理工学研究科) ,  山本陽平 (弘前大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 265(CPM2012 93-111)  ページ： 39-44  発行年： 2012年10月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)ターゲットを用いたレーザーアブレーション法によりSi(100)基板/窒化アルミニウム(AlN)層上に立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)のエピタキシャル成長を行い,成長条件による結晶性および表面モフォロジーの変化を調べ,モノメチルシラン(CH₃SiH₃)を用いた化学気相成長(CVD)法によるSiC薄膜との比較を行った。Si基板上のAlN層はAlNターゲットおよび窒素ガスを用いたレーザーアブレーション法により形成した。さらに,SiC薄膜の高温アニールによりグラフェンの形成を行った。Si基板上には3C-SiC(100)が成長するのに対してSi/AlN上には3C-SiC(111)が成長した。Si基板上へのSiC成長は基板温度の増加に伴い基板Si原子の外方拡散が起こりボイドの形成が促進されるが,AlN中間層を導入することでボイドの発生を抑制することに成功した。さらに,AlN中間層の導入によりSiC薄膜の結晶性および表面粗さが改善されることがわかった。また,CVD法に比べPLD法の方がボイドの形成が抑制され結晶性および表面モフォロジーが優れていることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  固体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  薄膜 ,  *薄膜成長 ,  レーザアブレーション ,  レーザ蒸着 ,  立方晶系 ,  窒化アルミニウム ,  結晶度 ,  表面粗さ ,  空孔欠陥 ,  グラフェン ,  パルスレーザ蒸着 ,  マイクロ波デバイス ,  中間層 ,  シリコンウエハ ,  表面形態
準シソーラス用語： PLD法 ,  アニール ,  シリコン基板 ,  パワーデバイス ,  ボイド【結晶】 ,  高温エレクトロニクス ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (15件)：

• Miinch, W. V. Silicon carbide bipolar transistor. Solid-State Electron. 1978, 21, 479-480
• Nishin, S. Production ' o f largest-area single crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices. Appl. Phys. L e t t j. 1983, 42, 460-462
• Motoyama, S. Low-temperature growth of 3C-SiC by the gas source molecular beam epitaxial method. Appl. Phys. Lett. 1989, 54, 242-243
• Zekentes, K. Gas source molecular beam epitaxy of p-SiC on Si substrates. Appl. Surf. Sci. 1996, 102, 22-27
• Liu, Z. Effects of carbonization and substrate temperature on the growth of 3C-SiC on S i ( l l l ) by SSMBE. Appl. Surf.Sci. 2008, 254, 3207-3210

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  AlN ,  Si ,  3C-SiC ,  成長