文献

J-GLOBAL ID：201202294303611470   整理番号：12A0854170

Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用

Heteroepitaxial growth of GaN on Si substrate and its application to devices.

著者 (1件)： 江川孝志 (名古屋工大 極微デバイス機能システム研究セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 81  号： 6  ページ： 485-488  発行年： 2012年06月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長法を用いて成長したSi基板上AlGaN/GaN HEMTにおいて,多層膜構造を用いることによりGaN層の歪が緩和され厚膜化が可能になった。その結果,総膜厚が約9μmのAlGaN/GaN HEMT構造が成長でき,デバイスの耐圧が改善された。また,耐圧の改善にはリアクタ内の残留GaとSi基板との反応に起因するエッチピットの発生を抑制する必要がある。本研究成果は,パワーデバイスとして家電製品や電気自動車などのインバータへ応用され,高効率半導体デバイスとして期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *HEMT ,  *MOCVD ,  基板 ,  多層膜 ,  酸化膜 ,  エッチピット ,  電圧 ,  貫通転位 ,  電力トランジスタ ,  単結晶 ,  ヘテロエピタクシー ,  絶縁破壊 ,  半導体薄膜 ,  ゲート絶縁膜 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  絶縁破壊電圧 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： 破壊電圧

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• EGAWA, T. Electron. Lett. 2000, 36, 1816
• DADGAR, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L1183
• 梅野正義. 応用物理. 2003, 72, 273
• IWAKAMI, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L587
• HOSHI, S. Applied Physics Express. 2009, 2, 061001

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  GaN ,  単結晶の成長 ,  応用