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J-GLOBAL ID：201202297271852479   整理番号：12A1211095

ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET

Graphene FET with Diamondlike Carbon Dielectrics

著者 (11件)： 鷹林将 (東北大 電通研) ,  鷹林将 (JST-CREST) ,  YANG Meng (東北大 多元物質科研) ,  小川修一 (東北大 多元物質科研) ,  林広幸 (東北大 多元物質科研) ,  栗田裕記 (東北大 電通研) ,  高桑雄二 (東北大 多元物質科研) ,  末光哲也 (東北大 電通研) ,  末光哲也 (JST-CREST) ,  尾辻泰一 (東北大 電通研) ,  尾辻泰一 (JST-CREST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 154(ED2012 41-53)  ページ： 67-72  発行年： 2012年07月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダイヤモンドライクカーボン(DLC)トップゲート絶縁膜を有するグラフェンチャネル電界効果トランジスタ(DLC-GFET)について報告する。DLC薄膜は,著者ら独自の光電子制御プラズマ気相化学成長法(PA-CVD)を用いて,グラフェンチャネル上に「直接」形成した。このプラズマは,サンプルからの放出光電子を利用して極めて低い電力で精密制御されるため,グラフェンへのプラズマダメージは最小限に抑えられる。DLC-GFETは明瞭なアンバイポーラ特性を示しつつ,その電荷中性点(ディラック電圧)はやや正にシフトした。DLC-GFETは,48nmのDLC厚膜および5μmの長ゲート条件下において,n(p)型モードそれぞれ14.6(8.8)mS/mmという比較的高い相互コンダクタンスを示したことから,垂直微細化によって優れた高周波特性の実現が期待される。ディラック電圧の正シフトは,DLC/グラフェン界面における水などの酸素吸着種からの「unintentional」正孔ドーピングによるものであることがわかった。これらの結果を踏まえて,著者らは不純物原子/分子をδ-ドーピングした変調ドープDLC/グラフェン構造を提案する。(著者抄録)

シソーラス用語： *ダイヤモンド状炭素 ,  絶縁膜 ,  炭素材 ,  *FET【トランジスタ】 ,  素子構造 ,  ダイヤモンド ,  変調ドーピング ,  *グラフェン ,  CVDダイヤモンド ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： DLC【炭素】 ,  トップゲート構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (37件)：

• Ando, T. Exoticelectronic and transport properties of "ザ. Physica E. 2007, 40, 2, 213-227
• 安藤恒也. グラフヱンの特異な物理. 表面科学. 2008, 29, 5, 296-303
• Novoselov, K. S. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science. 2004, 306, 5696, 666-669
• Morozov, S. V. Giant intrinsic carrier mobilities in graphene and its bilayer. Phys. Rev. l^t. 2008, 100, 1, 016602
• Bolotin, K. I. Ultrahigh electron mobility in suspended graphene. olid State CommuiP. 2008, 146, 9-10, 351-355

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイヤモンドライクカーボン ,  絶縁膜 ,  グラフェンFET