化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：古部次郎 , 千田武 , 伊與田幸穂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-184775
公開番号（公開出願番号）：特開2012-044030
出願日： 2010年08月20日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】MOCVD法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶を成長させる基板表面の温度分布及び平均波長の狙い値からのズレを抑制する。【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、保持体の上面の中心から被形成体の外周部よりも内側で被形成体の下面と接し、保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、前記反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように当該被形成体が載置される保持体と、前記反応容器内に外部から原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、前記保持体は、当該保持体の上面の中心から前記被形成体の外周部よりも内側で当該被形成体の下面と接し、当該保持体の上面と当該被形成体の下面とが所定の間隔を保つように当該被形成体を支持する支持部を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (31件)：

5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF04 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DP14 , 5F045DP27 , 5F045EK03 , 5F045EM02 , 5F045EM06 , 5F141AA41 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA22 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP06 , 5F173AQ12 , 5F173AR92

引用特許：

審査官引用 (6件)

基板トレイ及びその基板トレイを備えた気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-246153 出願人：三洋電機株式会社
サセプタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-226666 出願人：東芝セラミックス株式会社
基板載置台、基板処理装置、および基板の温度制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-151025 出願人：東京エレクトロン株式会社

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