半導体装置の製造装置および製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-239262
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071122
出願日： 2007年09月14日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】基板の温度分布を均一化することのできる、半導体装置の製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板1を保持するサセプタ2と、サセプタ2の裏面側に設置されたヒータと、基板1とサセプタ2との間に位置し支持部12を有する支持部材11と、サセプタ2と支持部材11との間に位置するスペーサ14とを備える。スペーサ14に形成された開口部により、サセプタ2と支持部材11との間に隙間15が形成されるので、熱伝導によってサセプタ2から直接支持部12に与えられる熱量が減少する。その結果、基板1の支持部12と接触している外周部への熱伝達が減少するので、外周部において基板1の温度が高くなり基板1に温度分布が生じることを抑制し、基板1の温度分布を均一化することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板を保持するサセプタと、前記サセプタの前記基板を保持する面と反対側の裏面側に設置されている、前記基板を加熱する加熱部材と、前記基板と前記サセプタとの間に位置し、前記基板を支持する支持部を有する支持部材と、前記サセプタと前記支持部材との間に位置し、前記支持部材の前記支持部が形成されている位置の反対面側において開口部が形成されている、スペーサとを備える、半導体装置の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/683 , C23C 16/458 , C23C 16/46 , H01L 33/00

FI (5件)：

H01L21/205 , H01L21/68 N , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L33/00 C

Fターム (42件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA10 , 4K030KA23 , 4K030KA46 , 4K030LA14 , 5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031HA02 , 5F031HA06 , 5F031HA37 , 5F031HA59 , 5F031KA08 , 5F031LA07 , 5F031MA28 , 5F031NA02 , 5F031NA04 , 5F031NA09 , 5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041CA04 , 5F041CA40 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045CA11 , 5F045DA55 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F045EK24 , 5F045EM06 , 5F045EM09 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (1件)

サセプタを含む処理チャンバ内で半導体基板を加熱するプロセスおよびシステム
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-504278 出願人：マットソンテクノロジイインコーポレイテッド

審査官引用 (10件)

特開昭62-042416
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-277493 出願人：住友化学工業株式会社
半導体処理装置用ウエハキャリア
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-553595 出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド

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