特許
J-GLOBAL ID：201203001075469605

半導体集積回路装置

発明者：
大村 昌伸

大村 昌伸 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-138894
公開番号（公開出願番号）：特開2012-074674
出願日： 2011年06月22日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：
【課題】保護対象の回路ブロックの上に配置された導電パターンに加えられた改変の検出する精度を向上するための技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板に形成された回路ブロックと、回路ブロックのうち保護対象の部分の上層に配置された導電パターンと、導電パターンに接続され、導電パターンの回路定数により決定される発振周波数で発振する発振回路と、発振回路の発振周波数が事前に設定された範囲に含まれるか否かを判定し、発振周波数が事前に設定された範囲に含まれない場合に、導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置が提供される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された回路ブロックと、 前記回路ブロックのうち保護対象の部分の上層に配置された導電パターンと、 前記導電パターンに接続され、前記導電パターンの回路定数により決定される発振周波数で発振する発振回路と、 前記発振回路の発振周波数が事前に設定された範囲に含まれるか否かを判定し、前記発振周波数が前記事前に設定された範囲に含まれない場合に、前記導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路と を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/10 ,  G06F 21/06
FI (6件)：
H01L27/04 T ,  H01L27/04 A ,  H01L27/04 D ,  H01L21/82 W ,  H01L27/10 481 ,  G06F12/14 560E
Fターム (29件)：
5B017AA03 ,  5B017BA09 ,  5B017BB03 ,  5B017CA11 ,  5B017CA14 ,  5F038CA03 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038CD09 ,  5F038CD12 ,  5F038CD13 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF10 ,  5F038DT12 ,  5F038DT18 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB03 ,  5F064BB12 ,  5F064BB20 ,  5F064BB33 ,  5F064BB35 ,  5F064EE08 ,  5F064EE15 ,  5F064EE42 ,  5F064EE43 ,  5F064EE47 ,  5F083LA25 ,  5F083ZA12
引用特許：
審査官引用 (5件)
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