特許

J-GLOBAL ID：201003050180731800

集積回路装置及びその製造方法

発明者： 近藤 大雄 ,  佐藤 信太郎 ,  二瓶 瑞久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-226457
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062333
出願日： 2008年09月03日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】絶縁体上にもグラファイト層を容易に形成することができる集積回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1上に触媒層2を形成し、その上にサポート層3を形成しておく。触媒層2としてCo層を形成し、サポート層としてTiN層を形成する。これらは、例えばスパッタリング法により形成する。次いで、アセチレンを含む原料ガスを用いて熱CVD処理を行う。この結果、触媒層2が絶縁基板1及びサポート層3に挟み込まれているが、カーボン原料はサポート層3を透過して触媒層2まで到達するので、グラファイト11が絶縁基板1と触媒層2との間に成長する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上方に第1の触媒層を形成する工程と、 前記第1の触媒層上に第2の触媒層を形成する工程と、 前記第2の触媒層上に第3の触媒層を形成する工程と、 炭素を含む雰囲気で、前記第1、第2及び第3の触媒層が形成された前記基板を加熱する工程と、 を有し、 前記基板を加熱する工程は、 前記第3の触媒層を成長核として第1のグラファイト層を形成する工程と、 前記第1の触媒層を成長核として第2のグラファイト層を前記基板と前記第2の触媒層との間に形成する工程と、 を有することを特徴とする集積回路装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786 ,  B01J 23/75

FI (9件)：

H01L21/285 C ,  H01L21/88 M ,  H01L21/88 B ,  H01L21/90 A ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  B01J23/74 311M ,  H01L21/285 301

Fターム (118件)：

4G146AA02 ,  4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03B ,  4G146AD20 ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC38B ,  4G146BC44 ,  4G169AA03 ,  4G169BC67A ,  4G169BC67B ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EE07 ,  4G169FA01 ,  4G169FB02 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104DD68 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG03 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK14 ,  5F033KK15 ,  5F033KK16 ,  5F033KK33 ,  5F033LL01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM11 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN00 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP01 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR30 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110CC05 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (8件)

• グラファイト薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-064946   出願人：新技術事業団, 菊地理恵, 大木芳正, 松井丈雄
• 特許第3000035号公報
  
• グラファイト層の形成方法、該方法によって形成されたグラファイト層を有するX線光学素子及びX線光学素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-058732   出願人：新技術事業団, 松井丈雄, 菊地理恵, 大木芳正
• 特許第3044683号公報
  
• 特許第2973352号公報
  
• 炭素細長構造束状体、その製造方法および電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-325297   出願人：富士通株式会社
• 特許第3642385号公報
  
• 特許第3932181号公報
  

審査官引用 (4件)

• 炭素元素円筒型構造体へのオーミック接続構造及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078353   出願人：富士通株式会社
• グラフェンシート及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-277065   出願人：三星電子株式会社
• カーボン配線構造およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-214727   出願人：富士通株式会社
• グラフェントランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-040775   出願人：富士通株式会社