磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤原康高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-029021
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169448
出願日： 2011年02月14日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
要約：

【課題】十分なMR変化率を有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の磁気抵抗効果素子は、第1の磁性層14と、第2の磁性層18と、第1の磁性層14と第2の磁性層18との間に設けられたスペーサ層16とを備えた積層体と、積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極11、20とを有し、スペーサ層16が、Zn、In、Sn、Cdから選択される少なくとも1つの元素及びFe、Co、Niから選択される少なくとも1つの元素を含む酸化物層21を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられたスペーサ層と、を備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記スペーサ層が、Zn、In、Sn、Cdから選択される少なくとも1つの元素及びFe、Co、Niから選択される少なくとも1つの元素を含む酸化物層を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 , H01L 43/08 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , G11B 5/39

FI (4件)：

H01L43/10 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11B5/39

Fターム (64件)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC02 , 4M119DD03 , 4M119DD04 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD07 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD33 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE29 , 4M119FF05 , 4M119FF06 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119JJ09 , 5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA06 , 5D034BA09 , 5D034BA15 , 5D034CA08 , 5F092AA02 , 5F092AB02 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB15 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB34 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC18 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092BE27 , 5F092CA13 , 5F092CA15 , 5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (7件)

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-244759 出願人：株式会社東芝
CPP型磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-276690 出願人：TDK株式会社
磁気素子のスピンバルブ構造およびCCP-GMRスピンバルブ構造、ならびに磁気再生ヘッドにおけるスピンバルブ構造の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-124797 出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド

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