特許
J-GLOBAL ID:201203007133619530

多層配線基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渥美 久彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-158157
公開番号(公開出願番号):特開2012-044158
出願日: 2011年07月19日
公開日(公表日): 2012年03月01日
要約:
【課題】最外層の樹脂絶縁層とICチップとの隙間をアンダーフィル材にて確実に封止することができる多層配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】多層配線基板を構成する最外層の樹脂絶縁層25は、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともにシリカフィラー57を含んでいる。穴あけ工程において、最外層の樹脂絶縁層25に対してレーザ穴加工を施すことで、接続端子41を露出させる開口部43を形成する。デスミア工程において、開口部43内のスミアを除去する。フィラー減少工程において、高圧水洗処理を行い樹脂絶縁層25の表面にて露出しているシリカフィラー57を減少させる。【選択図】図8
請求項(抜粋):
複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体において、ICチップを搭載するチップ搭載面側に形成された最外層の樹脂絶縁層が、内層側の樹脂絶縁層と同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されるとともに無機酸化物からなるフィラーを含み、前記最外層の樹脂絶縁層と前記ICチップとの隙間がアンダーフィル材で封止される多層配線基板の製造方法であって、 前記最外層の樹脂絶縁層に対してレーザ穴加工を施すことで、導体部を露出させる開口部を形成する穴あけ工程と、 前記穴あけ工程後、前記開口部内のスミアを除去するデスミア工程と、 前記デスミア工程後、前記最外層の樹脂絶縁層の表面において露出している前記フィラーを減少させるフィラー減少工程と を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H05K 3/00
FI (4件):
H05K3/46 Q ,  H05K3/46 X ,  H05K3/46 V ,  H05K3/00 N
Fターム (10件):
5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346EE31 ,  5E346FF03 ,  5E346FF45 ,  5E346GG15 ,  5E346GG16 ,  5E346HH11 ,  5E346HH33 ,  5E346HH40
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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