特許
J-GLOBAL ID:201203008149002580
スイッチング回路及び半導体モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
とこしえ特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-107171
公開番号(公開出願番号):特開2012-239061
出願日: 2011年05月12日
公開日(公表日): 2012年12月06日
要約:
【課題】スイッチング制御する制御回路の負担を軽減するスイッチング回路を提供する。【解決手段】第1のスイッチング素子の制御電極と第1のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路との間に接続される抵抗と、第1のスイッチング素子の制御電極と第1のスイッチング素子の低電位側電極との間に接続される第1のコンデンサと、第1のコンデンサと直列に接続される第2のスイッチング素子とを備え、第2のスイッチング素子の高電位側電極は、第1のスイッチング素子の制御電極に電気的に接続され、第2のスイッチング素子の低電位側電極は第1のスイッチング素子の低電位側電力端子に電気的に接続され、第2のスイッチング素子の制御電極は、抵抗と制御回路の間に接続されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
第1のスイッチング素子の制御電極と前記第1のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路との間に接続される抵抗と、
前記第1のスイッチング素子の制御電極と前記第1のスイッチング素子の低電位側電極との間に接続される第1のコンデンサと、
前記第1のコンデンサと直列に接続される第2のスイッチング素子とを備え、
前記第2のスイッチング素子の高電位側電極は、前記第1のスイッチング素子の制御電極に電気的に接続され、
前記第2のスイッチング素子の低電位側電極は前記第1のスイッチング素子の低電位側電力端子に電気的に接続され、
前記第2のスイッチング素子の制御電極は、前記抵抗と前記制御回路の間に接続されている
ことを特徴とするスイッチング回路。
IPC (5件):
H03K 17/687
, H02M 7/538
, H02M 7/48
, H02M 1/08
, H03K 17/695
FI (5件):
H03K17/687 F
, H02M7/5387 Z
, H02M7/48 Z
, H02M1/08 A
, H03K17/687 B
Fターム (31件):
5H007AA03
, 5H007CA02
, 5H007CB05
, 5H007DB03
, 5H007EA02
, 5H007HA03
, 5H740AA05
, 5H740BA12
, 5H740BB05
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740KK01
, 5H740LL02
, 5J055AX55
, 5J055AX56
, 5J055AX63
, 5J055BX16
, 5J055CX07
, 5J055CX13
, 5J055DX12
, 5J055DX56
, 5J055DX83
, 5J055EX07
, 5J055EY10
, 5J055EY12
, 5J055EY21
, 5J055FX05
, 5J055FX12
, 5J055FX28
, 5J055FX33
, 5J055GX01
引用特許:
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