特許
J-GLOBAL ID：201203010522149272
III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-202289
公開番号（公開出願番号）：特開2012-056799
出願日： 2010年09月09日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：
【課題】III族窒化物半導体で構成される自立基板の生産歩留まりを改善することを課題とする。【解決手段】III族窒化物半導体(AlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1))で構成される基板の小片10A乃至10Dが複数集まった基板小片層10と、基板小片層10の第1の面に積層され、複数の小片10A乃至10Dを結合する、III族窒化物半導体(AlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1))で構成される裏打ち層20と、を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体(AlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1))で構成される基板の小片が複数集まった基板小片層と、
前記基板小片層の第1の面に積層され、複数の前記小片を結合する、III族窒化物半導体で構成される裏打ち層と、
を有するIII族窒化物半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077FF02
, 4G077FJ01
, 4G077FJ06
, 4G077HA12
