特許

J-GLOBAL ID：201203012330865252

ゲート絶縁材料、ゲート絶縁膜、および電界効果型トランジスタ。

発明者： 真多 淳二 ,  塚本 遵 ,  池田 真衣子 ,  金森 大典
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-266430
公開番号（公開出願番号）：特開2012-119423
出願日： 2010年11月30日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：

【課題】高耐久性、高移動度、高オンオフ比であり、なおかつ低ターンオン電圧および低ヒステリシスを可能とするゲート絶縁材料、ゲート絶縁膜およびこれを用いた電界効果型トランジスタを提供すること。【解決手段】ポリマーと金属化合物を含有するゲート絶縁材料であって、金属化合物が、マグネシウム化合物、亜鉛化合物、銅化合物、インジウム化合物、ランタニウム化合物、マンガン化合物、カルシウム化合物、スズ化合物、チタニウム化合物、ジルコニウム化合物、ハフニウム化合物の何れか1つ以上およびアルミニウム化合物とを含むことを特徴とするゲート絶縁材料。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポリマーと金属化合物を含有するゲート絶縁材料であって、金属化合物が、マグネシウム化合物、亜鉛化合物、銅化合物、インジウム化合物、ランタニウム化合物、マンガン化合物、カルシウム化合物、スズ化合物、チタニウム化合物、ジルコニウム化合物、ハフニウム化合物の何れか1つ以上およびアルミニウム化合物とを含むことを特徴とするゲート絶縁材料。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (4件)：

H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280

Fターム (36件)：

5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 有機半導体装置製造用基板、有機半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-196985   出願人：日本曹達株式会社
• 電子デバイスのための誘電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-319089   出願人：ゼロックスコーポレイション
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258269   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平1-149475
  
• 絶縁性薄膜、絶縁性薄膜の形成用溶液、絶縁性薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-115547   出願人：凸版印刷株式会社