特許
J-GLOBAL ID:201003007599674358

絶縁性薄膜、絶縁性薄膜の形成用溶液、絶縁性薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-115547
公開番号(公開出願番号):特開2010-267657
出願日: 2009年05月12日
公開日(公表日): 2010年11月25日
要約:
【課題】低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された高分子と、高分子と酸素原子を介して結合を有し第4族元素、第5族元素、第6族元素、第13族元素、亜鉛、錫のうちから選ばれる金属原子と、金属原子と酸素原子または窒素原子を介して結合を有する有機分子とを含む絶縁性薄膜からなるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体と、を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】図1
請求項(抜粋):
高分子と、 前記高分子と酸素原子を介して結合を有し第4族元素、第5族元素、第6族元素、第13族元素、亜鉛、錫のうちから選ばれる金属原子と、 前記金属原子と酸素原子または窒素原子を介して結合を有する有機分子と、 を含むことを特徴とする絶縁性薄膜。
IPC (9件):
H01L 21/312 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  G09F 9/30
FI (9件):
H01L21/312 A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301R ,  G09F9/30 348A ,  G09F9/30 338
Fターム (90件):
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB12 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104EE16 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5C094AA04 ,  5C094AA21 ,  5C094AA37 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094JA01 ,  5F058AA07 ,  5F058AB06 ,  5F058AB07 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71
引用特許:
審査官引用 (6件)
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