特許
J-GLOBAL ID：201203012751735935

半導体装置の製造方法、および半導体装置

発明者：
寺本 章伸

寺本 章伸 について

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神林 宏

神林 宏 について

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上田 博一

上田 博一 について

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両角 友一朗

両角 友一朗 について

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原田 豪繁

原田 豪繁 について

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長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

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大見 忠弘

大見 忠弘 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について

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次世代パワーデバイス技術研究組合

次世代パワーデバイス技術研究組合 について

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東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 伊藤 英彦 ,  森下 八郎 ,  吉田 博由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-013066
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156245
出願日： 2011年01月25日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】GaNを有する窒化物の上にマイクロ波プラズマを用いてゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】GaN層13,AlGaN層14aが積層されたFET構造と、フィールド酸化膜15とゲート電極20との間にかけて、形成されたゲート絶縁膜19bを備える。ゲート絶縁膜19bは、アルミナ24aとシリコン酸化膜24bから構成される二層構造とする。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
半導体層を構成するGaN(窒化ガリウム)を有する半導体装置の製造方法であって、 GaNを有する窒化物の層の上に、マイクロ波プラズマを用いて、SiO2膜およびAl2O3膜からなる群のうちの少なくとも一つの膜を形成し、形成した膜をゲート絶縁膜の少なくとも一部とするゲート絶縁膜形成工程を備える、半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (8件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617U ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  H01L21/31 C
Fターム (66件)：
5F045AA09 ,  5F045AA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AB37 ,  5F045AC07 ,  5F045AF04 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF08 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102HC01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE01 ,  5F110EE22 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F140AA00 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF10 ,  5F140BF43 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK29
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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