特許
J-GLOBAL ID：200903008003145820

半導体装置の製造方法

発明者：
上原 隼人

上原 隼人 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-178976
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016688
出願日： 2007年07月06日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】水素原子の拡散による特性変動が少ない半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極上に第一のシリコン窒化膜を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記第一のシリコン窒化膜を介して不純物注入することにより前記半導体基板の表面層に拡散領域を形成する工程と、前記第一のシリコン窒化膜上に第二のシリコン窒化膜を形成する工程とを含み、前記第一のシリコン窒化膜が、前記第二のシリコン窒化膜より水素含有量が小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極上に第一のシリコン窒化膜を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記第一のシリコン窒化膜を介して不純物注入することにより前記半導体基板の表面層に拡散領域を形成する工程と、前記第一のシリコン窒化膜上に第二のシリコン窒化膜を形成する工程とを含み、前記第一のシリコン窒化膜が、前記第二のシリコン窒化膜より水素含有量が小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 301N
Fターム (78件)：
5F083EP09 ,  5F083EP22 ,  5F083ER05 ,  5F083ER06 ,  5F083ER15 ,  5F083ER16 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA14 ,  5F101BA16 ,  5F101BB02 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD45 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16 ,  5F140AA00 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BA16 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BG52 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CC01 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC13 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (14件)
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