半導体素子製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-293026
公開番号（公開出願番号）：特開2008-112750
出願日： 2006年10月27日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】良好な膜質を有するゲート絶縁膜を化合物半導体層上に形成することができる半導体素子製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、基板1上にバッファ層2を介して積層されたGaN活性層3とゲート電極8との間にゲート絶縁膜であるSiO2膜5が形成された半導体素子を製造する半導体素子製造方法において、ゲート絶縁膜は、ECRスパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする。この結果、良好な膜質を有するゲート絶縁膜をGaN活性層3上に形成することができる半導体素子製造方法を提供することが可能になる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上にバッファ層を介して積層された化合物半導体層とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成された半導体素子を製造する半導体素子製造方法において、前記ゲート絶縁膜は、ECRスパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする半導体素子製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 618B , H01L29/78 617V , H01L21/316 Y

Fターム (61件)：

5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF14 , 5F058BJ01 , 5F110AA08 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ17 , 5F110HJ22 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110QQ14 , 5F140AA06 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA17 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BG02 , 5F140BG05 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BH21 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK05 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140CB04 , 5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (1件)

GaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-137493 出願人：古河電気工業株式会社

審査官引用 (3件)

MIS型化合物半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-165603 出願人：日本電信電話株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056788 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-032680 出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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