特許
J-GLOBAL ID：201203012916370430
半導体用合成石英ガラス基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-132883
公開番号（公開出願番号）：特開2012-032786
出願日： 2011年06月15日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：
【課題】比較的簡便な方法でサイズ、底面の残し厚さ、平行度等、形状を高精度に安定的に制御され、加工を施す前後の基板全体の形状変化を抑えた、非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板全体の複屈折量の最大値が3nm/cm以下の半導体用合成石英ガラス基板の少なくとも一方の面に非貫通の穴2、溝又は段差を形成する研削工程と、研削による残留応力を除去する工程とを含む、非貫通の穴2、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。フォトマスク基板用合成石英ガラス基板やナノインプリント用モールド基板等の非貫通の穴2、溝3又は段差4を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造において、比較的簡便な方法で、形状精度が高い基板を得ることができ、非貫通の穴2、溝又は段差の加工を施す前後の基板全体の形状変化を抑えることが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板全体の複屈折量の最大値が3nm/cm以下の半導体用合成石英ガラス基板の少なくとも一方の面に非貫通の穴、溝又は段差を形成する研削工程と、研削による残留応力を除去する工程とを含む、非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/14 A
, H01L21/30 502D
2H095BC28
, 5F146AA31
, 5F146AA32
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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