特許
J-GLOBAL ID：201203020474783938

炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法

発明者：
長野 正裕

長野 正裕 について

, 
ジョン ローゼン

ジョン ローゼン について

, 
土田 秀一

土田 秀一 について


出願人/特許権者：
財団法人電力中央研究所

財団法人電力中央研究所 について


代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-217756
公開番号（公開出願番号）：特開2012-074513
出願日： 2010年09月28日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：
【課題】炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板1の主表面を、水素ガスを含むクリーニングガスで表面処理し、前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、前記主表面上に絶縁膜2を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素の主表面を、水素を含むクリーニングガスで表面処理し、 前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、 前記主表面上に絶縁膜を形成する ことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L21/316 S ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/31 Z
Fターム (31件)：
5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045EB15 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16 ,  5F045HA23 ,  5F045HA25 ,  5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BE01 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF52 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM