特許

J-GLOBAL ID：200903070083749060

半導体装置の製造方法

発明者： 藤平 景子 ,  大塚 健一 ,  三浦 成久 ,  油谷 直毅
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-298497
公開番号（公開出願番号）：特開2008-117878
出願日： 2006年11月02日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置本体20に、NOもしくはN2Oを含んだガス雰囲気でドリフト層10表面に窒化処理を行った後、化学的もしくは物理的気相成長法によって、ドリフト層10表面にゲート絶縁膜5を堆積する。その後、ゲート絶縁膜5を堆積された半導体装置本体20に、不活性ガス雰囲気において1100°C以下の温度で熱処理を実施する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素からなる基板上に炭化珪素からなるドリフト層を形成する工程と、 前記ドリフト層上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、 前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と を少なくとも備え、 前記ゲート絶縁膜形成工程は、 一酸化窒素もしくは一酸化二窒素を含んだガス雰囲気で前記ドリフト層表面に窒化処理を行う窒化処理工程と、 前記窒化処理工程に引き続き、化学的もしくは物理的気相成長法により前記ドリフト層表面に成膜を行う成膜工程と、 前記成膜工程に引き続き、不活性ガス雰囲気で熱処理を行う熱処理工程と を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• N2Oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-533356   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 短絡チャネルを有する炭化ケイ素パワー金属酸化物半導体電界効果トランジスタおよび短絡チャネルを有する炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-533381   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 水素環境中のアニールにより炭化珪素層上に酸化物層を作製する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-581576   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 特許第3372528号公報
  

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-340912   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-351180   出願人：松下電器産業株式会社
• SiC-MISFET及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-403296   出願人：松下電器産業株式会社
• 炭化珪素半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-041704   出願人：日産自動車株式会社