特許
J-GLOBAL ID：201203024052875207
フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098137
公開番号（公開出願番号）：特開2012-185505
出願日： 2012年04月23日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：
【課題】遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板1上に少なくともクロムと窒素を含む遮光膜2を有するフォトマスクブランクの製造方法である。遮光膜2を形成した後、該遮光膜2に加わる熱処理によって生じる膜応力変化により得られるフォトマスクブランクの平坦度が所定値以下になるように、上記膜応力変化とは逆方向の所望の膜応力を有する遮光膜2となるように、スパッタリング成膜中に含まれる窒素ガス、窒素化合物ガス、ヘリウムガスのうち少なくとも一のガスの流量を調整して遮光膜2を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、窒素ガス、窒素化合物ガスのうち少なくとも一のガス及びヘリウムガスを含む雰囲気中で、クロム又はクロムを主成分とするターゲットを用いたスパッタリング成膜により、クロムと窒素を含む遮光膜を形成する工程を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記遮光膜を形成した後、該遮光膜に加わる熱処理によって生じる膜応力変化により得られるフォトマスクブランクの平坦度が所定値以下になるように、前記膜応力変化とは逆方向の所望の膜応力を有する遮光膜となるように、前記スパッタリング成膜中に含まれる前記窒素ガス、窒素化合物ガス、ヘリウムガスのうち少なくとも一のガスの流量を調整することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (4件)：
G03F 1/54
, G03F 1/32
, G03F 1/80
, C23C 14/06
G03F1/54
, G03F1/32
, G03F1/80
, C23C14/06 A
2H095BB03
, 2H095BB16
, 2H095BC05
, 2H095BC08
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA21
, 4K029BA41
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029EA04
