第1導電型ドリフト層、該第1導電型ドリフト層上に位置する第2導電型バリア層、および該第2導電型バリア層上に位置する第1導電型コンタクト層、を含むGaN系化合物半導体の積層体(GaN系積層体)、に形成された半導体装置であって、
前記GaN系積層体に、前記第1導電型コンタクト層から前記第2導電型バリア層を経て前記第1導電型ドリフト層に届く開口部が設けられ、
前記開口部に露出する前記GaN系積層体を覆うように位置する、GaN系半導体からなるチャネル層、および該チャネル層にキャリアを供給するキャリア供給層、を含む再成長層と、
前記再成長層を覆うように位置する絶縁膜と、
前記GaN系積層体上に位置するソース電極と、
前記絶縁膜上に位置するゲート電極と、
前記開口部の底から見て前記第1導電型コンタクト層と逆側においていずれかの第1導電型領域上に位置するドレイン電極とを備え、
前記第2導電型バリア層において、第2導電型不純物濃度A(cm-3)と、水素の濃度B(cm-3)とが、0.1
IPC (3件):
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (5件):
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 652S
引用特許: