特許
J-GLOBAL ID：201203028150233022

半導体基板の分離方法

発明者：
大野 克巳

大野 克巳 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 竹中 岑生 ,  大岩 増雄 ,  児玉 俊英 ,  村上 啓吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-270994
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124187
出願日： 2010年12月06日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】個別素子の大きさが小さくなると、印加する力すなわち分離力が増加し、分離の瞬間に素子が大きく振動して、隣のチップと激しくぶつかり合い、素子が欠けてしまう問題が発生するようになった。この問題は、レーザスクライブを素子全長近くまで行うとともに、より深い溝とすることで低減されるが、今度は溝を形成する際除去される材料が増加するため、デブリ(レーザ照射によって表面に飛び散るゴミ)が増加し、素子端面や素子表面が汚染される問題が発生してしまう。そこで、レーザスクライブ溝を深くせず、かつ少ない分離力で確実に素子を分離できる方法を得る必要が生じた。【解決手段】半導体基板を個片化する際、レーザ照射により素子端面近傍より他の端面近傍までスクライブを行い、かつ、その途中で一旦表面近傍まで溝深さを浅くした凸部を形成するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
レーザによりスクライブ溝を罫書き、スクライブ溝と相対する面側から分離力を印加して、スクライブ溝位置で基板を分離することでウエハを個片化する分離方法において、レーザ照射により素子端面近傍より他の端面近傍までスクライブを行い、かつ、その途中で一旦表面近傍まで溝深さを浅くした凸部を形成するようにした半導体基板の分離方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00
FI (5件)：
H01L21/78 B ,  H01L21/78 V ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 H ,  H01L21/78 L
Fターム (3件)：
4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068DA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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